[发明专利]控制金属氧化物半导体单元的功耗的方法和设备无效
| 申请号： | 201110230476.0 | 申请日： | 2011-08-09 |
| 公开（公告）号： | CN102931961A | 公开（公告）日： | 2013-02-13 |
| 发明（设计）人： | 欧阳茜 | 申请（专利权）人： | 成都芯源系统有限公司 |
| 主分类号： | H03K17/687 | 分类号： | H03K17/687 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华 |
| 地址： | 611731 四川省成都*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的实施方式涉及控制金属氧化物半导体单元的功耗的方法和设备。具体地，公开了一种用于管理金属氧化物半导体MOS单元的功耗的方法。该方法包括：确定所述MOS单元的负载状态；以及根据所确定的负载状态而配置所述MOS单元，以调节所述MOS单元的驱动功耗一种用于管理金属氧化物半导体MOS单元的功耗的方法。还公开了相应的设备。根据本发明的实施方式，可以有效地降低模拟或数字电路中MOS单元的功耗。 | ||
| 搜索关键词： | 控制 金属 氧化物 半导体 单元 功耗 方法 设备 | ||
【主权项】：
一种用于控制金属氧化物半导体MOS单元的功耗的方法，包括：确定所述MOS单元的负载状态；以及根据所确定的负载状态而配置所述MOS单元，以调节所述MOS单元的驱动功耗。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于成都芯源系统有限公司，未经成都芯源系统有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110230476.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种超微孔印制板塞孔树脂的制备方法
- 下一篇：容器接管相贯线切割机器人机构
