[发明专利]NOR Flash器件制作方法有效
| 申请号： | 201110228111.4 | 申请日： | 2011-08-10 |
| 公开（公告）号： | CN102931143A | 公开（公告）日： | 2013-02-13 |
| 发明（设计）人： | 陈亚威;简志宏 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8247 | 分类号： | H01L21/8247;H01L21/02;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 常亮;李辰 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开了一种NOR Flash器件制作方法，该方法包括：提供基底，所述基底上具有第一多晶硅层；在所述第一多晶硅层上形成第一硬掩膜层；采用干法刻蚀工艺对第一硬掩膜层进行刻蚀形成第一开口，且在对第一硬掩膜层进行刻蚀之前对连接刻蚀腔体的气体管路进行清洗；在所述第一硬掩膜层上形成第二硬掩膜层，且所述第二硬掩膜层覆盖所述第一开口的底部及侧壁；采用自对准工艺对第二硬掩膜层进行刻蚀形成第二开口，所述第二开口的宽度小于所述第一开口的宽度；采用自对准工艺对第一多晶硅层进行刻蚀形成浮栅。本发明所提供的NOR Flash器件制作方法，可提高NOR Flash器件的良品率。 | ||
| 搜索关键词： | nor flash 器件 制作方法 | ||
【主权项】：
一种NOR Flash器件制作方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底上具有第一多晶硅层；在所述第一多晶硅层上形成第一硬掩膜层；采用干法刻蚀工艺对第一硬掩膜层进行刻蚀形成第一开口，且在对第一硬掩膜层进行刻蚀之前对连接刻蚀腔体的气体管路进行清洗；在所述第一硬掩膜层上形成第二硬掩膜层，且所述第二硬掩膜层覆盖所述第一开口的底部及侧壁；采用自对准工艺对第二硬掩膜层进行刻蚀形成第二开口，所述第二开口的宽度小于所述第一开口的宽度；采用自对准工艺对第一多晶硅层进行刻蚀形成浮栅。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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