[发明专利]一种用于全面积器件转移的制备多孔硅的装置有效
| 申请号： | 201110225427.8 | 申请日： | 2011-08-08 |
| 公开（公告）号： | CN102418138A | 公开（公告）日： | 2012-04-18 |
| 发明（设计）人： | 张磊;沈鸿烈 | 申请（专利权）人： | 南京航空航天大学 |
| 主分类号： | C25F3/12 | 分类号： | C25F3/12;C25F7/00;C30B33/10;H01L21/67 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 张惠忠 |
| 地址： | 210016 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于全面积薄膜器件转移的制备多孔硅的装置，包括槽体，其特征在于：在所述的槽体上方开设有腐蚀槽，在槽体的下方开设有真空室，在所述的腐蚀槽与真空室之间开设有通孔，在所述的腐蚀槽底面设置有橡胶垫，所述的通孔位于橡胶垫的圈内，在所述的腐蚀槽内还设置有铂网阴电极；在所述的真空室内设置有金属探针电极，金属探针电极的上端穿出所述的通孔位于腐蚀槽内，在真空室内设置有抽真空气口。本发明的优点在于：结构简单，操作方便，能实现对单晶硅片正面的全面积腐蚀，从而实现外延器件整体转移的目的，并且能腐蚀多种尺寸的单晶硅片，腐蚀后的单晶硅片经过处理可以循环多次使用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 面积 器件 转移 制备 多孔 装置 | ||
【主权项】：
一种用于全面积薄膜器件转移的制备多孔硅的装置，包括槽体，其特征在于：在所述的槽体上方开设有腐蚀槽，在槽体的下方开设有真空室，在所述的腐蚀槽与真空室之间开设有通孔，在所述的腐蚀槽底面设置有橡胶垫，所述的通孔位于橡胶垫的圈内，在所述的腐蚀槽内还设置有铂网阴电极；在所述的真空室内设置有金属探针电极，金属探针电极的上端穿出所述的通孔位于腐蚀槽内，在真空室内设置有抽真空气口。
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