[发明专利]MOS晶体管的寄生双极型晶体管的特性表征方法有效
| 申请号： | 201110225196.0 | 申请日： | 2011-08-08 |
| 公开（公告）号： | CN102323529A | 公开（公告）日： | 2012-01-18 |
| 发明（设计）人： | 余泳 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种MOS晶体管的寄生双极型晶体管的特性表征方法，包括如下步骤：测量所述MOS晶体管的漏电流Id；测量所述MOS晶体管的栅致漏极漏电流Igidl；测量所述MOS晶体管的源极和漏极之间的电压Vds，也即寄生双极晶体管发射极和集电极之间的电压Vce；根据测得的所述漏电流Id和所述栅致漏极漏电流Igidl，利用Id＝(1+β)Igidl，计算所述寄生双极型晶体管的电流增益系数β；生成所述寄生双极型晶体管的电流增益系数β与发射极和集电极之间的电压Vce的拟合函数。本发明的测试方法可以不用接触MOS晶体管的体区，测试过程简单。 | ||
| 搜索关键词： | mos 晶体管 寄生 双极型 特性 表征 方法 | ||
【主权项】：
一种MOS晶体管的寄生双极型晶体管的特性表征方法，其特征在于，包括如下步骤：测量所述MOS晶体管的漏电流Id；测量所述MOS晶体管的栅致漏极漏电流Igidl；测量所述MOS晶体管的源极和漏极之间的电压Vds，所述电压Vds为所述MOS晶体管的寄生双极型晶体管的集电极和发射极之间的电压Vce；根据测得的所述漏电流Id和所述栅致漏极漏电流Igidl，利用Id＝(1+β)Igidl，计算所述寄生双极型晶体管的电流增益系数β；生成所述寄生双极型晶体管的电流增益系数β与所述集电极和发射极之间的电压Vce的拟合函数。
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