[发明专利]OTP器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201110222832.4 | 申请日： | 2011-08-04 |
| 公开（公告）号： | CN102916013A | 公开（公告）日： | 2013-02-06 |
| 发明（设计）人： | 张花威;马春霞;王德进 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/115 | 分类号： | H01L27/115;H01L21/8247 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 常亮;李辰 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开了一种OTP器件及其制造方法，该OTP器件包括：基底；位于所述基底上的存储单元，所述存储单元包括：由下至上顺序排列的栅介质层、浮栅、叠层介质层和控制栅；位于所述存储单元两侧的侧墙；位于所述存储单元上、且覆盖所述侧墙的保护层。本发明所提供的OTP器件，在存储单元及侧墙上覆盖有保护层，所述保护层可阻挡存储单元外围的可动离子对存储单元内的电荷造成影响，同时避免存储单元内的电荷泄露，因此，所述保护层能够提高存储单元保存电荷的能力，即可提高OTP器件的数据保持力。 | ||
| 搜索关键词： | otp 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种OTP器件，其特征在于，包括：基底；位于所述基底上的存储单元，所述存储单元包括：由下至上顺序排列的栅介质层、浮栅、叠层介质层和控制栅；位于所述存储单元两侧的侧墙；位于所述存储单元上、且覆盖所述侧墙的保护层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
