[发明专利]存储元件无效
| 申请号： | 201110221477.9 | 申请日： | 2011-08-03 |
| 公开（公告）号： | CN102376887A | 公开（公告）日： | 2012-03-14 |
| 发明（设计）人： | 五十岚実;荒谷胜久 | 申请（专利权）人： | 索尼公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人： | 褚海英;武玉琴 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供了一种存储元件，其包括：第一电极和第二电极；第一导电型的半导体层，其设置于第一电极侧；固体电解质层，其包含可移动离子并且设置于第二电极侧；以及第二导电型的非晶态半导体层，其在第一导电型的半导体层和固体电解质层之间设置为与固体电解质层接触，并且当对第一电极和第二电极施加电压时，该非晶态半导体层可逆地变成第一导电型。本发明的存储元件功耗低且可靠性高。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 元件 | ||
【主权项】：
一种存储元件，其包括：第一电极和第二电极；第一导电型的半导体层，其设置于所述第一电极侧；固体电解质层，其包含可移动离子并且设置于所述第二电极侧；以及第二导电型的非晶态半导体层，其在所述第一导电型的半导体层和所述固体电解质层之间设置为与所述固体电解质层接触，并且当对所述第一电极和所述第二电极施加电压时，该非晶态半导体层可逆地变成第一导电型。
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