[发明专利]金属层光刻的干法去胶返工方法有效
| 申请号： | 201110221213.3 | 申请日： | 2011-08-03 |
| 公开（公告）号： | CN102914950A | 公开（公告）日： | 2013-02-06 |
| 发明（设计）人： | 谢宝强;杨兆宇;赵志勇;杨杰 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/42 | 分类号： | G03F7/42;H01L21/311 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 何平 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种金属层光刻的干法去胶返工方法，包括下列步骤：提供一晶圆片，所述晶圆片包括表面的金属层，所述金属层表面设有光刻胶；通过静电卡盘支撑所述晶圆片，所述静电卡盘的顶针处于举起状态，所述晶圆片仅通过所述顶针与静电卡盘接触；使用干法去胶工艺去除所述光刻胶；再次对所述金属层进行光刻。上述金属层光刻的干法去胶返工方法，在返工的干法去胶过程中，让静电卡盘的顶针保持举起状态，降低了晶圆片的温度，减小了干法去胶过程中对金属层中金属铜含量的影响，保证了工艺质量。相对于传统的增加一步N2O处理工艺的方法，节省了成本、提高了生产效率。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 光刻 干法去胶 返工 方法 | ||
【主权项】：
一种金属层光刻的干法去胶返工方法，包括下列步骤：步骤A，提供一晶圆片，所述晶圆片包括表面的金属层，所述金属层表面设有光刻胶；步骤B，通过静电卡盘支撑所述晶圆片，所述静电卡盘的顶针处于举起状态，所述晶圆片仅通过所述顶针与静电卡盘接触；步骤C，使用干法去胶工艺去除所述光刻胶；步骤D，再次对所述金属层进行光刻。
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