[发明专利]一种电容耦合式的等离子体处理装置及其基片加工方法

摘要

本发明涉及一种电容耦合式的等离子体处理装置，其通过在反应腔内设置电场调节元件——“电场透镜”，从而在反应腔内产生与原射频电场方向相反的再生电场，来消减原有射频电场产生的等离子体在基片表面刻蚀速率分布的不均匀性；电场调节元件——“电场透镜”还降低了反应腔体的等效品质因数Q值，从而展宽了射频频带，并防止高压电弧的产生。本发明还提供了一种利用该处理装置进行基片加工的方法。

主权项

一种电容耦合式的等离子体处理装置，其特征在于，包含：引入有反应气体的反应腔（10），所述反应腔（10）内包含放置有待处理基片（30）的支撑台（12）、相互平行设置的第一电极（21）和第二电极（22），所述第二电极（22）设置于所述支撑台（12）内，至少一个射频功率源连接到所述第一电极（21）或第二电极（22）上，使所述反应腔（10）内形成有射频电场，来生成所述反应气体的等离子体；至少一个由导磁材料制成的电场调节元件（40），其靠近所述基片（30）设置并在其中心部分具有一中空区域（40b），所述射频电场至少部分穿过该电场调节元件（40）的中空区域（40b），从而感应生成与所述射频电场反向的一再生电场，所述再生电场与所述射频电场在所述反应腔（10）内叠加形成一合成电场。