[发明专利]一种石墨烯薄膜的制备方法有效
| 申请号： | 201110215856.7 | 申请日： | 2011-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN102897750A | 公开（公告）日： | 2013-01-30 |
| 发明（设计）人： | 徐明生;陈红征;施敏敏;吴刚;汪茫 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | C01B31/04 | 分类号： | C01B31/04 |
| 代理公司： | 浙江杭州金通专利事务所有限公司 33100 | 代理人： | 刘晓春 |
| 地址： | 310027 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种制备石墨烯薄膜的方法。将预先合成的石墨烯薄膜小片放置在衬底上，然后在此衬底上以此石墨烯薄膜小片作为大面积石墨烯薄膜生长的诱导点，采用来自于含有碳原子的气体碳源、固体碳源、液体碳源或者其复合碳源材料而释放的碳原子来生长石墨烯薄膜。本发明方法使石墨烯薄膜可以直接生长在实际应用石墨烯薄膜的衬底上，这样使用时就不需要转移石墨烯薄膜；所生长的石墨烯薄膜的层数、结构、尺寸容易控制；生长石墨烯薄膜的温度可以在0℃至2000℃之间；制备出的石墨烯薄膜具有优异的光电特性，适合用于大规模地制造高性能的光电子器件。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 石墨 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种石墨烯薄膜的制备方法，其特征在于从预先合成的石墨烯薄膜（1）中选取一小片石墨烯薄膜（2），将所述的小片石墨烯薄膜（2）转移到导体、半导体或绝缘体的衬底（3）上作为诱导石墨烯薄膜生长的起点，在所述的衬底（3）上采用来自于固体碳源、液体碳源、气体碳源或前述碳源中任意两种或两种以上混合碳源释放的碳原子（4）以小片石墨烯薄膜（2）为起点而生长石墨烯薄膜（5）。
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