[发明专利]一种获取红外焦平面探测器最佳偏置电压的方法和装置有效
申请号: | 201110210674.0 | 申请日: | 2011-07-26 |
公开(公告)号: | CN102393250A | 公开(公告)日: | 2012-03-28 |
发明(设计)人: | 刘子骥;蒋亚东;王然;辛勇明;郑兴 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
主分类号: | G01J5/20 | 分类号: | G01J5/20;G01R19/00 |
代理公司: | 成都华典专利事务所(普通合伙) 51223 | 代理人: | 杨保刚;徐丰 |
地址: | 611731 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 本发明公开了一种获取红外焦平面探测器最佳偏置电压的方法和装置,包括:初始化模块,用于使用前的初始参数设定;反馈显示模块,用于显示单片机反馈给串口的数据;电压发送模块,用于发送预先想要设置的电压,在“电压设置”编辑框中输入预先想要设置的电压数值,点击“发送”后便成功设置红外焦平面的偏置驱动电压;直方图显示模块,用于显示在某个特定偏压驱动下从红外焦平面读取到的图像的灰度图分布;自动设置偏压模块,用于完成非制冷红外焦平面偏置驱动电压的自动选取设置,整个操作仅需点击“偏压自动设置”按钮。本发明使用软件算法寻找最佳偏置电压,它比用手动输入偏置电压方便得多。 | ||
搜索关键词: | 一种 获取 红外 平面 探测器 最佳 偏置 电压 方法 装置 | ||
【主权项】:
1.一种获取红外焦平面探测器最佳偏置电压的算法,包括由两个MOS管,测辐射热计和运放积分器构成的读出电路,其输出电压(VO)的表达式如下:
,其中,Vsk和Vdet分别为加载在两个MOS管上的第一偏压和第二偏压,Vref为加载在运算放大器同相输入端的第三偏压,其特征在于,获得最佳偏置电压的方法包括以下步骤:首先确定第三偏压(Vref)的值,然后设定第一偏压(Vsk)与第三偏压(Vref)之间相差一个差值
,先固定这个差值
,然后去调节变量第二偏压(Vdet),根据不同的第二偏压(Vdet)的值,得到不同的输出电压(VO),把每次得到的输出电压(VO)的值用直方图表示出来,根据焦平面的均匀性和理想直方图的分布规律在直方图上设定一个区域,把这个区域占有的表示输出电压(VO)点的个数与整个输出点的个数的百分比表示出来,当每次改变第二偏压(Vdet)就得出一个百分比,直到得到的百分比大于93%,这时候再增加差值
,让第一偏压(Vsk)有一个新的值;然后继续变化第二偏压(Vdet),直到直方图百分比大于93%,继续增加第一偏压(Vsk),直到直方图百分比小于93%,保留上一个第一偏压(Vsk)和第二偏压(Vdet)发送给单片机,最终寻找到最佳偏置电压。
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