[发明专利]薄膜太阳能制造工艺、TCO层的沉积方法,及太阳能电池前体叠层无效
申请号: | 201110206494.5 | 申请日: | 2011-07-18 |
公开(公告)号: | CN102339900A | 公开(公告)日: | 2012-02-01 |
发明(设计)人: | 厄休拉·英格柏·施密特;伊丽莎白·萨默;英奇·韦梅尔;马库斯·克雷斯;尼尔斯·库尔;菲利普·欧博迈亚;丹尼尔·塞弗林;安东·苏普里茨 | 申请(专利权)人: | 应用材料股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/0392;H01L31/04 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国;钟强 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 描述了在基板上沉积TCO层的方法以及用于太阳能电池的前体。一种在基板102、801上沉积TCO层102、204、404、604的方法包括提供玻璃基板,所述玻璃基板具有第一碱金属浓度;调整所述玻璃基板,其中所述调整包括从以下步骤构成的组中选择出的至少一个步骤:将液体涂覆到所述基板上以形成第一层,所述第一层具有第二碱金属层浓度,所述第二碱金属层浓度高于所述第一碱金属浓度,以及沉积层以形成第二层,所述第二层具有第二碱金属层浓度,所述第二碱金属层浓度高于所述第一碱金属浓度;以及在调整后的基板上方沉积TCO层。 | ||
搜索关键词: | 薄膜 太阳能 制造 工艺 tco 沉积 方法 太阳能电池 前体叠层 | ||
【主权项】:
一种在基板上沉积TCO层的方法,所述方法包括:提供玻璃基板(102;801),所述玻璃基板(102;801)具有第一碱金属浓度;调整所述玻璃基板,其中所述调整包括从以下步骤构成的组中选择出的至少一个步骤:将液体涂覆到所述基板上以形成第一层,所述第一层具有第二碱金属层浓度,所述第二碱金属层浓度高于所述第一碱金属浓度,以及沉积层以形成第二层,所述第二层具有第二碱金属层浓度,所述第二碱金属层浓度高于所述第一碱金属浓度;以及在调整后的基板上方沉积TCO层(104;204;404;604)。
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H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
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