[发明专利]一种非图案化表面缺陷的离线检测方法有效
| 申请号： | 201110202592.1 | 申请日： | 2011-07-19 |
| 公开（公告）号： | CN102890094A | 公开（公告）日： | 2013-01-23 |
| 发明（设计）人： | 胡华勇;林益世 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G01N21/95 | 分类号： | G01N21/95 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 牛峥;王丽琴 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种离线检测非图案化表面缺陷的方法，该方法在用于离线检测的具有非图案化晶片表面或具有非图案化薄膜或介质层的晶片表面制作具有高折射率和低吸收系数k的薄膜层作为介质制成半导体样品，用光学检测法检测所述半导体样品中所述非图案化晶片表面或非图案化薄膜或介质层的表面缺陷，利用高折射率介质中入射光波长减小的特性，增大表面缺陷的散射光强度，该离线检测非图案化表面缺陷的方法在无需改变检测仪器的光源发出的入射光波长以及其他物理条件的前提下，提高了离线检测非图案化表面缺陷的灵敏度，同时节约检测成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 图案 表面 缺陷 离线 检测 方法 | ||
【主权项】：
一种非图案化表面缺陷的离线检测方法，提供具有衬底或者在所述衬底上具有非图案化薄膜或介质层的晶片，该方法包括：所述衬底表面或者所述非图案化薄膜或介质层表面形成薄膜层，作为半导体样品，所述薄膜层对所述非图案化表面缺陷离线检测中入射光的折射率高于真空；用光学检测法检测所述半导体样品中所述衬底或者非图案化薄膜或介质层的表面缺陷。
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