[发明专利]MEMS热电堆红外探测器芯片、其内芯片及本身的制造方法有效
| 申请号： | 201110200734.0 | 申请日： | 2011-07-18 |
| 公开（公告）号： | CN102889933A | 公开（公告）日： | 2013-01-23 |
| 发明（设计）人： | 李刚;桑新文 | 申请（专利权）人： | 苏州敏芯微电子技术有限公司 |
| 主分类号： | G01J5/20 | 分类号： | G01J5/20;B81B3/00;B81C3/00 |
| 代理公司： | 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙) 32235 | 代理人： | 杨林洁;黄晓明 |
| 地址： | 215006 江苏省苏州市工业园*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种MEMS热电堆红外探测器芯片，包括内芯片和位于内芯片上的红外滤窗，内芯片含有衬底，衬底设有正面、背面及自正面凹陷形成的空气腔体，空气腔体未贯穿衬底的背面，正面设有支撑部和红外吸热层，所述红外吸热层位于支撑部和空气腔体内，其厚度大于支撑部且小于空气腔体，并且其厚度不小于支撑部，在支撑部上设有热电堆，衬底与红外吸热层分别形成热电堆的冷端与热端，热电堆包括由不同导电材料所制成的第一、第二导电层，第一、第二导电层通过其末端的第一、第二电极引出，第一、第二电极的顶部露出，热电堆是由与CMOS工艺相兼容的材料制成，本发明制造方法可制造性较高且工艺简单。 | ||
| 搜索关键词： | mems 热电 红外探测器 芯片 其内 本身 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种MEMS热电堆红外探测器芯片，其特征在于：所述MEMS热电堆红外探测器芯片包括内芯片（20a）和位于内芯片（20a）上的红外滤窗（20b），所述内芯片（20a）含有衬底（21），所述衬底（21）设有正面（221）、背面（212）及自正面（221）凹陷形成的空气腔体（25），所述空气腔体（25）未贯穿衬底（20a）的背面（212），所述衬底（21）正面（221）设有支撑部（23）和红外吸热层（24），所述红外吸热层（24）位于支撑部（23）和空气腔体（25）内，其厚度大于支撑部（23）且小于空气腔体（25），在所述支撑部（23）上设有热电堆（22），所述衬底（21）与红外吸热层（24）分别形成热电堆（22）的冷端与热端，所述热电堆（22）包括由不同导电材料所制成的第一、第二导电层（22a）、（22b），所述第一、第二导电层（22a）、（22b）通过其末端的第一、第二电极（331）、（332）引出，所述第一、第二电极（331）、（332）的顶部露出，所述热电堆（22）是由与CMOS工艺相兼容的材料制成。
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