[发明专利]一种晶体硅太阳能电池p型硅表面的钝化层及其制备方法

摘要

本发明公开了一种晶体硅太阳能电池p型硅表面的新型钝化层材料及其大面积快速制备方法，该钝化层材料为AlN薄膜，采用磁控溅射或者PECVD技术制备该AlN薄膜钝化层。与现有p型硅表面的钝化层材料相比，该钝化层材料可以在界面处形成Al-Si-O结构，造成有效的场效应钝化效果；作为晶体硅太阳能电池前表面钝化层时，能够同时满足钝化层及减反射层的双重要求；作为背场钝化层时，能够同时满足钝化层及背反射镜的双重要求。另外，AlN钝化层的制备工艺简单，成本低廉，可以极大地降低电池片的处理成本，降低电池生产成本，易于实现大规模产业化应用，因此具有的潜在应用前景。

主权项

一种晶体硅太阳能电池p型硅表面的钝化层，包括p型硅片的背场钝化层与n型硅片的p型前发射极表面钝化层，其特征是：所述的钝化层是AlN薄膜。