[发明专利]从硅片切割加工副产物中回收多晶硅的方法

摘要

从硅片切割加工副产物中回收多晶硅的方法。包括（1）将废砂浆进行固液分离得到砂浆沉淀物；（2）将砂浆沉淀物调浆后离心分离出粗硅物和碳化硅粉；（3）将粗硅物加入混合无机酸反应6～8小时，得到初级硅粉料；（4）将初级硅粉料调浆在三级超声波洗涤塔中分离出含硅粉80%的中级硅粉和碳化硅。（5）将中级硅粉加入纯水调浆泵入高频介电分离装置中分离出99%的高纯硅粉；（6）将高纯硅粉加入纯水调浆；泵入电去离子模块的淡水侧分离出杂质；得99.99%的超纯硅粉；（7）经真空脱水、压制成球团、铸锭，切去杂质，得到99.9999%的多晶硅。本发明得到的产品达到太阳能级多晶硅纯度；且不使用有机溶剂，操作安全，环境友好。

主权项

一种从硅片切割加工副产物中回收多晶硅的方法，包括将废砂浆进行固液分离得到砂浆沉淀物；其特征在于，还包括以下步骤：（1）在砂浆沉淀物中加入纯水调浆成重量百分比为15～25%的浆料，离心分离出重量百分比为30 45%的粗硅物和碳化硅粉；（2）将粗硅物置于混合酸反应釜中,按照粗硅粉∶混合酸的重量百分比=1∶0.8～2加入混合无机酸，在温度60～80℃、搅拌速度40～50转/分条件下，反应6～8小时，得到初级硅粉料；（3）将初级硅粉料加入纯水调浆成重量百分比为15～25%的浆料，加入到三级超声波洗涤塔中进行硅粉和碳化硅粉分离，分离出的上浮物为含硅粉80%的中级硅粉,下沉物为碳化硅；（4）将中级硅粉加入纯水调浆成重量百分比为5～20%的浆料, 泵入高频介电分离装置中分离出99%的高纯硅粉；（5）将高纯硅粉加入纯水调浆成重量百分比为3～10%的浆料，泵入电去离子模块的淡水侧，在直流电流的作用下，阳离子杂质通过阳离子交换膜，阴离子杂质经过阴离子交换膜去除，得99.99%的超纯硅粉；（6）将超纯硅粉按现有技术经真空脱水、压制成球团、铸锭，切去铸锭上部20mm部分杂质,得到99.9999%的太阳能级多晶硅；或参入40 50%的西门子硅料拉单晶，重新制作硅片。