[发明专利]空间用反射镜碳化硅复合膜的制备方法无效

专利信息
申请号: 201110182092.6 申请日: 2011-06-30
公开(公告)号: CN102242348A 公开(公告)日: 2011-11-16
发明(设计)人: 孟凡涛;郑明文;魏春城;白佳海;牛金叶;冯柳 申请(专利权)人: 山东理工大学
主分类号: C23C16/32 分类号: C23C16/32;C23C16/44
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 255086 山东省淄博*** 国省代码: 山东;37
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摘要: 发明提供一种空间用反射镜碳化硅复合膜的制备方法,特征为:将抛光后的反应烧结碳化硅基体放在沉积室内,先沉积碳化硅晶须薄膜:一路气是来自蒸发釜的三氯甲基硅烷和氢气的混合气,蒸发釜的压力控制在0.2~0.3MPa,混合气总流量控制在200~300ml/min,氢气通过鼓泡法将甲基三氯硅烷送入沉积室,另一路气是流量为800~900ml/min的氩气,采用低压化学气相沉积,沉积室内沉积压力为6~7kPa,沉积温度为1100~1150℃;再沉积碳化硅颗粒薄膜:氢气和三氯甲基硅烷总流量改为300~400ml/min,氩气气流量改为500~600ml/min,沉积室内沉积压力为3~5kPa;最后抛光,在基体上得到碳化硅复合膜。本方法基体与碳化硅复合膜间的残余热应力小,结合性好,有利于制备大尺寸的碳化硅反射镜。
搜索关键词: 空间 反射 碳化硅 复合 制备 方法
【主权项】:
一种空间用反射镜碳化硅复合膜的制备方法,基体为抛光后的反应烧结碳化硅,其特征在于采用以下步骤:将基体放在沉积室内,先沉积碳化硅晶须薄膜,再沉积碳化硅颗粒薄膜,最后抛光,在基体上得到空间用反射镜碳化硅复合膜;其中:在沉积碳化硅晶须薄膜步骤中,沉积室有两个气路,一路气是以三氯甲基硅烷为反应气,氢气为载气,将甲基三氯硅烷置于水浴加热的蒸发釜中,水浴温度为35~40℃,蒸发釜的压力控制在0.2~0.3MPa,氢气和三氯甲基硅烷总流量控制在200~300ml/min,氢气通过鼓泡法将甲基三氯硅烷送入沉积室,另一路气是通入氩气,氩气气流量为800~900ml/min,采用低压化学气相沉积,沉积室内沉积压力为6~7kPa,沉积温度为1100~1150℃,沉积时间为8~48h,在基体表面沉积碳化硅晶须;在沉积碳化硅颗粒薄膜步骤中,氢气和三氯甲基硅烷总流量改为300~400ml/min,氩气气流量改为500~600ml/min,沉积室内沉积压力为3~5kPa,沉积时间为8~48h,这样在碳化硅晶须薄膜上再沉积碳化硅球形颗粒薄膜。
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