[发明专利]空间用反射镜碳化硅复合膜的制备方法无效
申请号: | 201110182092.6 | 申请日: | 2011-06-30 |
公开(公告)号: | CN102242348A | 公开(公告)日: | 2011-11-16 |
发明(设计)人: | 孟凡涛;郑明文;魏春城;白佳海;牛金叶;冯柳 | 申请(专利权)人: | 山东理工大学 |
主分类号: | C23C16/32 | 分类号: | C23C16/32;C23C16/44 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 255086 山东省淄博*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | 本发明提供一种空间用反射镜碳化硅复合膜的制备方法,特征为:将抛光后的反应烧结碳化硅基体放在沉积室内,先沉积碳化硅晶须薄膜:一路气是来自蒸发釜的三氯甲基硅烷和氢气的混合气,蒸发釜的压力控制在0.2~0.3MPa,混合气总流量控制在200~300ml/min,氢气通过鼓泡法将甲基三氯硅烷送入沉积室,另一路气是流量为800~900ml/min的氩气,采用低压化学气相沉积,沉积室内沉积压力为6~7kPa,沉积温度为1100~1150℃;再沉积碳化硅颗粒薄膜:氢气和三氯甲基硅烷总流量改为300~400ml/min,氩气气流量改为500~600ml/min,沉积室内沉积压力为3~5kPa;最后抛光,在基体上得到碳化硅复合膜。本方法基体与碳化硅复合膜间的残余热应力小,结合性好,有利于制备大尺寸的碳化硅反射镜。 | ||
搜索关键词: | 空间 反射 碳化硅 复合 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种空间用反射镜碳化硅复合膜的制备方法,基体为抛光后的反应烧结碳化硅,其特征在于采用以下步骤:将基体放在沉积室内,先沉积碳化硅晶须薄膜,再沉积碳化硅颗粒薄膜,最后抛光,在基体上得到空间用反射镜碳化硅复合膜;其中:在沉积碳化硅晶须薄膜步骤中,沉积室有两个气路,一路气是以三氯甲基硅烷为反应气,氢气为载气,将甲基三氯硅烷置于水浴加热的蒸发釜中,水浴温度为35~40℃,蒸发釜的压力控制在0.2~0.3MPa,氢气和三氯甲基硅烷总流量控制在200~300ml/min,氢气通过鼓泡法将甲基三氯硅烷送入沉积室,另一路气是通入氩气,氩气气流量为800~900ml/min,采用低压化学气相沉积,沉积室内沉积压力为6~7kPa,沉积温度为1100~1150℃,沉积时间为8~48h,在基体表面沉积碳化硅晶须;在沉积碳化硅颗粒薄膜步骤中,氢气和三氯甲基硅烷总流量改为300~400ml/min,氩气气流量改为500~600ml/min,沉积室内沉积压力为3~5kPa,沉积时间为8~48h,这样在碳化硅晶须薄膜上再沉积碳化硅球形颗粒薄膜。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
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C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的