[发明专利]薄膜电容器的制造方法以及由该方法获得的薄膜电容器有效
| 申请号： | 201110178384.2 | 申请日： | 2011-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN102315025A | 公开（公告）日： | 2012-01-11 |
| 发明（设计）人： | 樱井英章;渡边敏昭;曾山信幸;G.古伊干 | 申请（专利权）人： | 三菱综合材料株式会社;意法半导体公司 |
| 主分类号： | H01G4/33 | 分类号： | H01G4/33;H01G4/06;H01G4/14;H01G4/005 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 吕彩霞;艾尼瓦尔 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种薄膜电容器，其特征在于，形成下电极、将组合物涂覆至下电极上而没有进行温度高于300℃的退火过程、在从环境温度至500℃的预定温度下干燥，并且在500至800℃且高于干燥温度的预定温度下煅烧。从涂覆至煅烧的过程进行一次或至少两次，或者从涂覆至干燥的过程进行至少两次，然后煅烧进行一次。在第一次煅烧之后形成的电介质薄膜的厚度为20至600nm。下电极的厚度和在初次煅烧步骤之后形成的电介质薄膜的厚度之比（下电极厚度/介电薄膜厚度）优选为0.10至15.0。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 电容器 制造 方法 以及 获得 | ||
【主权项】：
制造薄膜电容器的方法，其包括：在衬底（11）上形成绝缘膜（12）；将粘合层（15）层压至所述绝缘膜上；在所述粘合层上形成下电极（14）；将有机钡化合物、有机锶化合物和钛的醇盐溶解在有机溶剂中以获得Ba:Sr:Ti的摩尔比 = 1 – x: x : y，将所得到的薄膜形成Ba1 xSrxTiyO3组合物涂覆到下电极上并干燥以由此形成涂层；通过煅烧具有形成于其上的涂层的衬底而形成电介质薄膜（16）；以及在电介质薄膜上形成上电极（17），其中：将组合物涂覆到下电极上而无需在形成下电极后在高于300℃下进行退火过程；干燥温度为从环境温度至500℃；煅烧温度为500至800℃；并且在第一次煅烧之后形成的电介质薄膜的厚度为20至600 nm。
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