[发明专利]具有金属栅极的半导体元件及其制作方法

摘要

本发明公开一种具有金属栅极的半导体元件的制作方法，首先提供一表面形成有一第一晶体管与一第二晶体管的基底，且该第一晶体管内形成有一第一栅极沟槽。该第一晶体管具有一第一导电型式，该第二晶体管具有一第二导电型式，且该第一导电型式与该第二导电型式相反。接下来依序于该第一栅极沟槽内形成一第一功函数金属层与一牺牲掩模层、随后移除部分该牺牲掩模层以暴露出部分该第一功函数金属层。之后，移除暴露的部分该第一功函数金属层，以于该第一栅极沟槽内形成一U形功函数金属层。而在形成该U形功函数金属层之后，移除该牺牲掩模层。

主权项

一种具有金属栅极的半导体元件的制作方法，包含有：提供一基底，该基底表面形成有一第一晶体管与第一第二晶体管，该第一晶体管具有一第一导电型式而该第二晶体管具有一第二导电型式，该第一导电型式与该第二导电型式相反，且该第一晶体管内形成有一第一栅极沟槽(gate trench)；在该第一栅极沟槽内形成一第一功函数金属(work function metal)层；在该第一栅极沟槽内形成一牺牲掩模层(sacrificial masking layer)；移除部分该牺牲掩模层，以暴露出部分该第一功函数金属层；移除暴露的部分该第一功函数金属层，以于部分的该第一栅极沟槽内形成一U形功函数金属层；以及移除该牺牲掩模层。