[发明专利]椭圆环形腔半导体激光器无效
| 申请号： | 201110146856.6 | 申请日： | 2011-06-02 |
| 公开（公告）号： | CN102810813A | 公开（公告）日： | 2012-12-05 |
| 发明（设计）人： | 晏长岭;徐莉;田春雨;贾霄 | 申请（专利权）人： | 长春理工大学 |
| 主分类号： | H01S5/10 | 分类号： | H01S5/10 |
| 代理公司： | 长春科宇专利代理有限责任公司 22001 | 代理人： | 马守忠 |
| 地址： | 130022 *** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种椭圆环形腔半导体激光器，其由顺次连接的均为椭圆环形的上电极、上波导层、有源增益层、下波导层、衬底和下电极构成；所述的椭圆环形腔半导体激光器下电极由焊料焊接到铜热沉上；椭圆环形腔的内边界和外边界形成环；椭圆环形腔的外边界的短轴一个顶点上有一个切口，切口从上电极一直到下波导层。该带切口的椭圆环形谐振腔在保证实现光单向输出的同时，与椭圆的盘型腔半导体激光器相比，减少了对盘型腔激光器中心部分的电流注入，提高电流注入效率20％以上，降低激光器件的激射阈值15％以上，提高器件电光转化效率15％以上，提高光输出功率15％以上。所述的激光器用III-V族、II-VI族半导体材料或有机半导体材料制备。 | ||
| 搜索关键词： | 椭圆 环形 半导体激光器 | ||
【主权项】：
一种椭圆环形腔半导体激光器，其特征在于，其由顺次连接的均为椭圆环形的上电极(11)、上波导层(12)、有源增益层(13)、下波导层(14)、衬底(15)和下电极(16)构成；所述的椭圆环形腔半导体激光器的下电极(16)由焊料焊接到铜热沉上；椭圆环形腔的内边界(17)和外边界(18)形成环；椭圆环形腔的外边界(18)的短轴一个顶点上有一个切口(19)，切口(19)从上电极(11)一直到下波导层(14)。
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