[发明专利]厚铝生长工艺方法无效
| 申请号： | 201110143756.8 | 申请日： | 2011-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN102810504A | 公开（公告）日： | 2012-12-05 |
| 发明（设计）人： | 闵炼锋 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种厚铝生长工艺方法，其包括如下步骤：(1)在晶片上进行Ti/TIN淀积以形成底层；(2)在底层上淀积一定厚度的铝膜；(3)将晶片移动并冷却；(4)重复(2)、(3)步骤N次(N＞1)直至铝膜达到要求的厚度；(5)将晶片进行ARC Ti/TIN淀积以形成抗反射层；(6)进行晶片冷却。本发明将原来的厚铝生长工艺分为多步，可以在不增加外部设备的情况下有效地控制腔体温度的上升，另外，让晶片在生长一定厚度后移动一下，更不容易产生粘片。 | ||
| 搜索关键词： | 生长 工艺 方法 | ||
【主权项】：
一种厚铝生长工艺方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)在晶片上进行Ti/TIN淀积以形成底层；(2)在底层上淀积一定厚度的铝膜；(3)将晶片移动并冷却；(4)重复(2)、(3)步骤N次(N＞1)直至铝膜达到要求的厚度；(5)将晶片进行ARC Ti/TIN淀积以形成抗反射层；(6)进行晶片冷却。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
