[发明专利]一种针对氟基等离子体刻蚀后的氮化钛薄膜的处理方法有效
| 申请号： | 201110138127.6 | 申请日： | 2011-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN102420121A | 公开（公告）日： | 2012-04-18 |
| 发明（设计）人： | 李程;杨渝书;陈玉文;邱慈云 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3105 | 分类号： | H01L21/3105;H01L21/311 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人： | 王敏杰 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明一种针对氟基等离子体刻蚀后的氮化钛薄膜的处理方法，其中，包括如下步骤：用第一等离子体对覆盖在半导体器件上的氮化钛薄膜进行处理，将扩散于所述氮化钛薄膜内部的氟离子脱离；用第二等离子体对所述氮化钛薄膜进行处理，将所述氮化钛薄膜进行表面钝化处理。所述第一等离子体为H2气体的等离子体；所述第二等离子体为CH4气体的等离子体。所述H2气体的等离子体可用H2+N2气体的等离子体代替，所述CH4气体的等离子体可用CH4+N2气体的等离子体代替。本发明通过使用特定气体或气体组合的等离子体，对氮化钛薄膜进行脱氟和钝化，使得氮化钛薄膜表面颗粒增加的现象得到明显控制。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 针对 等离子体 刻蚀 氮化 薄膜 处理 方法 | ||
【主权项】：
一种针对氟基等离子体刻蚀后的氮化钛薄膜的处理方法，其特征在于，包括如下步骤：用第一等离子体对覆盖在半导体器件上的氮化钛薄膜进行处理，将扩散于所述氮化钛薄膜内部的氟离子脱离；用第二等离子体对所述氮化钛薄膜进行处理，将所述氮化钛薄膜进行表面钝化处理。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
