[发明专利]一种混合导通机制的场效应晶体管

摘要

本发明公布了一种混合导通机制的场效应晶体管，属于CMOS超大规模集成电路(ULSI)中场效应晶体管逻辑器件领域。该混合导通机制场效应晶体管包括源极、漏极、沟道区以及控制栅，其中源极包含隧穿源极与扩散源极两个部分。对于N型器件来说，源区包含P型的隧穿源极，该区域结深较浅。以及N型的扩散源极，该区域结深较深。而对于P型器件来说，源区包含N型浅的隧穿源极以及P型深的扩散源极。隧穿源极与扩散源极同时都在源电极进行电位引出。漏极的掺杂类型与源端扩散源极相同，衬底的掺杂类型要与隧穿源极掺杂类型相同。与现有的TFET相比，本发明可以有效提高器件的导通电流，提高器件的驱动能力。

主权项

一种混合导通机制的场效应晶体管，包括源极、漏极、沟道区以及控制栅，其特征在于，源极包含隧穿源极以及扩散源极两个部分，对于N型器件来说，源极包含一P型浅的隧穿源极，和N型深的扩散源极，对于P型器件来说，源极包含一N型浅的隧穿源极，以及P型深的扩散源极，上述隧穿源极与扩散源极同时都在源电极做电位引出，漏极的掺杂类型与扩散源极相同，衬底的掺杂类型要与隧穿源极掺杂类型相同。