[发明专利]具快速切换能力的沟渠式功率金氧半导体结构及制造方法有效
| 申请号： | 201110104067.6 | 申请日： | 2011-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN102751190A | 公开（公告）日： | 2012-10-24 |
| 发明（设计）人： | 张渊舜;涂高维 | 申请（专利权）人： | 科轩微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人： | 项荣;武玉琴 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种具快速切换能力的沟渠式功率金氧半导体结构及制造方法，其中该方法包括以下步骤：先形成一第一导电型的一外延层于一基板上，接下来，形成多个栅极结构于该外延层内；形成具有该第一导电型的一浅层掺杂区于该外延层的表面，随后，形成一遮蔽结构于该浅层掺杂区上；接下来，利用该遮蔽结构形成具有一第二导电型的多个阱区于该外延层内，随后，形成具有该第一导电型的一源极掺杂区于阱区的表面；其中，该浅层掺杂区的掺杂浓度小于该源极掺杂区的掺杂浓度与该阱区的掺杂浓度，且该浅层掺杂区的掺杂浓度大于该外延层的掺杂浓度。本发明能够有效地降低源漏二极管正向压降(VSD)，得到具有快速切换能力与低切换功率损耗的沟渠式功率半导体。 | ||
| 搜索关键词： | 快速 切换 能力 沟渠 功率 半导体 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种具快速切换能力的沟渠式功率金氧半导体结构的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：提供一基板；形成具有一第一导电型的一外延层于该基板上；形成多个栅极结构于该外延层内；形成具有该第一导电型的一浅层掺杂区于该外延层的表面；形成一遮蔽结构于该浅层掺杂区上；利用该遮蔽结构形成具有一第二导电型的多个阱区于该外延层内；以及利用该遮蔽结构形成具有该第一导电型的一源极掺杂区于阱区的表面；其中，该浅层掺杂区的掺杂浓度小于该源极掺杂区的掺杂浓度与该阱区的掺杂浓度，该浅层掺杂区的掺杂浓度大于该外延层的掺杂浓度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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