[发明专利]快速热退火设备中氧气浓度的监测方法有效
申请号: | 201110097054.0 | 申请日: | 2011-04-17 |
公开(公告)号: | CN102751211A | 公开(公告)日: | 2012-10-24 |
发明(设计)人: | 李春龙;李俊峰 | 申请(专利权)人: | 中国科学院微电子研究所 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 北京蓝智辉煌知识产权代理事务所(普通合伙) 11345 | 代理人: | 陈红 |
地址: | 100029 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 一种快速热退火设备中氧气浓度的监测方法,通过引入裸晶圆来监测快速热退火设备中的氧气浓度,在进行快速热退火处理之前,测量裸晶圆表面的自然氧化层的厚度,在快速热退火处理之后,再测量裸晶圆表面具有的氧化层的厚度,通过两次厚度的差值来测出所增加的氧化层厚度,能够准确地监测快速热退火设备中真实的氧气浓度,进而能根据测得的结果对快速热退火设备进行随时的调控,保证快速热退火工艺的有效性和稳定性。 | ||
搜索关键词: | 快速 退火 设备 氧气 浓度 监测 方法 | ||
【主权项】:
一种快速热退火设备中氧气浓度的监测方法,其特征在于,所述监测方法包括:提供产品晶圆,所述产品晶圆用于制造所需要的半导体集成电路;提供裸晶圆,所述裸晶圆表面具有自然氧化层;将所述产品晶圆和所述裸晶圆共同置于快速热退火设备中,进行快速热退火处理;其中:在进行快速热退火处理之前,测量所述裸晶圆表面的所述自然氧化层的厚度,记为第一厚度;快速热退火的气氛为氮气;在快速热退火处理之后,测量所述裸晶圆表面具有的氧化层的厚度,记为第二厚度;根据第一厚度与第二厚度的差值,测出通过快速热退火处理在所述裸晶圆表面所增加的氧化层厚度,进而监测所述快速热退火设备中氧气浓度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造