[发明专利]确定软磁薄膜材料饱和磁化强度的方法无效
| 申请号： | 201110084285.8 | 申请日： | 2011-04-02 |
| 公开（公告）号： | CN102243292A | 公开（公告）日： | 2011-11-16 |
| 发明（设计）人： | 柴国志;李喜玲;薛德胜 | 申请（专利权）人： | 兰州大学 |
| 主分类号： | G01R33/16 | 分类号： | G01R33/16 |
| 代理公司： | 兰州振华专利代理有限责任公司 62102 | 代理人： | 张晋 |
| 地址： | 730000 *** | 国省代码： | 甘肃;62 |
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| 摘要： | 本发明公开一种测试有高频磁导率谱的软磁薄膜材料的饱和磁化强度的方法。本发明的方法是：对待测软磁薄膜材料施加最大正磁场至饱和磁场，再逐渐减小外磁场至零磁场，然后再逐渐减小外磁场至饱和负磁场，或者先对待测软磁薄膜材料施加最小负磁场至饱和磁场，再逐渐增大外磁场至零磁场，直至最大正饱和磁场，同时测量并记载被测软磁薄膜材料随H变化时对应的共振频率fr的平方，获得待测软磁薄膜材料的共振频率fr的平方与外磁场H强度的函数关系，再通过求解斜率γ2μ0Ms得到待测软磁薄膜材料的饱和磁化强度μ0Ms。 | ||
| 搜索关键词： | 确定 薄膜 材料 饱和磁化强度 方法 | ||
【主权项】：
确定软磁薄膜材料饱和磁化强度的方法，其特征在于对待测软磁薄膜材料施加最大正向外磁场至饱和磁场，再逐渐减小外磁场至零磁场，然后再逐渐减小外磁场至饱和负磁场，或者对待测软磁薄膜材料施加最小负磁场至饱和磁场，再逐渐增大外磁场至零磁场，然后再逐渐增大外磁场至正向饱和磁场，在上述过程中同时测量并记载被测软磁薄膜材料随外磁场H变化时对应的共振频率fr的平方，如此获得待测软磁薄膜材料的共振频率fr的平方与外磁场H强度的线性函数关系，再通过解析法或图表法得到fr的平方与外磁场H强度的线性函数的斜率γ2μ0Ms，由此得到待测软磁薄膜材料的饱和磁化强度μ0Ms。
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