[发明专利]氧化物薄膜晶体管基板有效
| 申请号： | 201110062902.4 | 申请日： | 2011-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN102194831A | 公开（公告）日： | 2011-09-21 |
| 发明（设计）人： | 尹弼相;李永旭;李禹根 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L21/77 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 张波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了一种氧化物薄膜晶体管基板。提供了一种能够提高显示器件的显示品质的氧化物薄膜晶体管(TFT)基板以及经由简单的工艺制造该氧化物TFT基板的方法。该氧化物TFT基板包括基板、栅极线、数据线、氧化物TFT以及像素电极。氧化物TFT的氧化物层包括：第一区域，具有半导体特性并包括沟道；以及第二区域，其是导电的并且围绕第一区域。第一区域的一部分电连接到像素电极，第二区域电连接到数据线。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化物 薄膜晶体管 | ||
【主权项】：
一种氧化物薄膜晶体管基板，包括：基板；栅极线，设置在所述基板上；数据线，设置在所述基板上并与所述栅极线绝缘且交叉；氧化物薄膜晶体管，电连接到所述栅极线和所述数据线；以及像素电极，电连接到所述氧化物薄膜晶体管，其中所述氧化物薄膜晶体管的氧化物层包括：第一区域，具有半导体特性并包括沟道；和第二区域，其是导电的并围绕所述第一区域，其中所述第一区域电连接到所述像素电极，所述第二区域电连接到所述数据线。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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