[发明专利]非挥发性半导体存储器的擦除方法无效
| 申请号： | 201110051557.4 | 申请日： | 2011-03-03 |
| 公开（公告）号： | CN102176327A | 公开（公告）日： | 2011-09-07 |
| 发明（设计）人： | 葛晓欢 | 申请（专利权）人： | 中颖电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/14 | 分类号： | G11C16/14 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 200335 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种非挥发性半导体存储器的擦除方法，该方法通过在对非挥发性半导体存储器进行光线擦除时将所述非挥发性半导体存储器置于一电场中，所述电场使得所述非挥发性半导体存储器中被所述光线激发出的电子向所述半导体衬底运动，从而避免了所述电子向所述非挥发性半导体存储器的控制栅运动，从而避免了所述非挥发性半导体存储器的最低工作电压被抬高，提高了非挥发性半导体存储器的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 挥发性 半导体 存储器 擦除 方法 | ||
【主权项】：
一种非挥发性半导体存储器的擦除方法，其中，所述非挥发性半导体存储器形成在一半导体衬底上，且所述非挥发性半导体存储器利用光线进行擦除，其特征在于，在光线擦除时，所述非挥发性半导体存储器置于一电场中，所述电场使得所述非挥发性半导体存储器中被所述光线激发出的电子向所述半导体衬底运动。
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