[发明专利]在载板上导接件的侧面形成抗氧化金属层的制造工艺有效
申请号: | 201110009700.3 | 申请日: | 2011-01-12 |
公开(公告)号: | CN102593017A | 公开(公告)日: | 2012-07-18 |
发明(设计)人: | 郭志明;邱奕钏;施政宏;何荣华 | 申请(专利权)人: | 颀邦科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60;H01L23/00 |
代理公司: | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 | 代理人: | 寿宁;张华辉 |
地址: | 中国台湾新竹科学*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 一种在载板上导接件的侧面形成抗氧化金属层的制造工艺,其包含一载体,其具有多个焊垫及保护层;形成导接金属层在该载体上;形成第一光刻胶层在导接金属层上;图案化第一光刻胶层,使第一光刻胶层形成多个开口;在各开口中形成导接件,各导接件具有一顶面及一侧面;移除第一光刻胶层,以显露出各导接件的顶面及侧面;形成第二光刻胶层在该导接金属层上,第二光刻胶层覆盖各导接件;图案化第二光刻胶层,使第二光刻胶层形成多个开口,各开口显露出各导接件的顶面及侧面;在各开口形成抗氧化金属层,其包覆各导接件的顶面及侧面;移除第二光刻胶层,以显露抗氧化金属层及导接金属层;最后移除各导接件及抗氧化金属层下以外的导接金属层。 | ||
搜索关键词: | 载板上导接件 侧面 形成 氧化 金属 制造 工艺 | ||
【主权项】:
一种在载板上导接件的侧面形成抗氧化金属层的制造工艺,其特征在于其包括以下步骤:提供一载体,该载体是具有多个焊垫及一保护层,该保护层具有多个开口,且上述开口是显露出上述焊垫;形成一导接金属层在该载体上,该导接金属层是覆盖上述焊垫及该保护层,且该导接金属层是与上述焊垫电性连接;形成一第一光刻胶层在该导接金属层上,该第一光刻胶层是覆盖该导接金属层;图案化该第一光刻胶层,以使该第一光刻胶层形成有多个第一开口、多个第二开口及多个第一沟槽,其中上述第一开口是位于上述焊垫上方,且上述第一开口、上述第二开口及上述第一沟槽是显露出该导接金属层;在该第一光刻胶层的各该第一开口、各该第二开口及各该第一沟槽中形成一导接件,各该导接件是具有一顶面及一侧面,且各该导接件是电性连接该导接金属层;移除该第一光刻胶层,以显露出各该导接件的该顶面及该侧面;形成一第二光刻胶层在该导接金属层上,该第二光刻胶层是覆盖各该导接件;图案化该第二光刻胶层,以使该第二光刻胶层形成有多个第三开口、多个第四开口及多个第二沟槽,其中上述第三开口是位于上述焊垫上方,且各该第三开口、各该第四开口及各该第二沟槽是显露出各该导接件的该顶面及该侧面;在该第二光刻胶层的各该第三开口、各该第四开口及各该第二沟槽形成一抗氧化金属层,该抗氧化金属层是包覆各该导接件的该顶面及该侧面;移除该第二光刻胶层,以显露出该抗氧化金属层及该导接金属层;以及以各该导接件及该抗氧化金属层为罩幕,移除各该导接件及该抗氧化金属层下以外的该导接金属层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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