[发明专利]高压器件集成电路的制造方法有效
| 申请号： | 201110009610.4 | 申请日： | 2011-01-17 |
| 公开（公告）号： | CN102593055A | 公开（公告）日： | 2012-07-18 |
| 发明（设计）人： | 熊涛;罗啸;陈瑜;陈华伦 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种高压器件集成电路的制造方法，该高压器件集成电路包括形成于同一硅衬底上的SONOS储存器、高压MOS器件和低压MOS器件，通过在SONOS储存器制造工艺中嵌入高压MOS器件制造工艺实现，且高压MOS器件的高压栅极氧化层和高压多晶硅栅极的生长和图形定义步骤提前到所有的SONOS储存器和低压MOS器件的制造步骤之前。本发明方法能实现在同一硅衬底上同时形成SONOS储存器、高压MOS器件和低压MOS器件，能避免高压MOS器件的栅极氧化过程对SONOS储存器和低压MOS器件特性的影响，且能提高所述高压MOS器件栅极氧化层的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 高压 器件 集成电路 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种高压器件集成电路的制造方法，该高压器件集成电路包括形成于同一硅衬底上的SONOS储存器、高压MOS器件和低压MOS器件，所述SONOS储存器的ONO介质层的厚度及所述低压MOS器件的低压栅极氧化层的厚度都小于所述高压MOS器件的高压栅极氧化层的厚度，其特征在于：通过在SONOS储存器制造工艺中嵌入高压MOS器件制造工艺实现，且所述高压MOS器件的高压栅极氧化层和高压多晶硅栅极的生长步骤和图形定义步骤提前到所有的所述SONOS储存器和所述低压MOS器件的制造步骤之前。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华虹NEC电子有限公司，未经上海华虹NEC电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110009610.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
