[发明专利]聚N-2-羧乙基吡咯-阳极氧化铝复合膜的制备方法无效
| 申请号： | 201110009168.5 | 申请日： | 2011-01-14 |
| 公开（公告）号： | CN102091533A | 公开（公告）日： | 2011-06-15 |
| 发明（设计）人： | 石巍;涂晶;姜海容;葛东涛 | 申请（专利权）人： | 厦门大学 |
| 主分类号： | B01D69/12 | 分类号： | B01D69/12 |
| 代理公司： | 厦门南强之路专利事务所 35200 | 代理人： | 马应森 |
| 地址： | 361005 *** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 聚N-2-羧乙基吡咯-阳极氧化铝复合膜的制备方法。涉及复合膜制备技术，提供一种具有良好亲水性能以及优良生物相容性的聚N-2-羧乙基吡咯-阳极氧化铝复合膜的制备方法。包括以下步骤：将经过预处理的阳极氧化铝膜和N-2-羧乙基吡咯单体置于气相沉积聚合装置内，并将所述气相沉积聚合装置抽真空后进行气相沉积聚合反应；反应结束后冷却，除去杂质即得聚N-2-羧乙基吡咯-阳极氧化铝复合膜。所制备的聚N-2-羧乙基吡咯-阳极氧化铝复合膜掩盖了阳极氧化铝膜上的氧化层，减小了其非特异性吸附。制备方法简便，在亲和分离中具有广泛的应用。 | ||
| 搜索关键词： | 乙基 吡咯 阳极 氧化铝 复合 制备 方法 | ||
【主权项】：
聚N‑2‑羧乙基吡咯‑阳极氧化铝复合膜的制备方法，其特征在于包括包括以下步骤：1)将经过预处理的阳极氧化铝膜和N‑2‑羧乙基吡咯单体置于气相沉积聚合装置内，并将所述气相沉积聚合装置抽真空后进行气相沉积聚合反应；2)反应结束后冷却，除去杂质即得聚N‑2‑羧乙基吡咯‑阳极氧化铝复合膜。
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