[发明专利]掺杂稀土锗镓酸盐RExLn1-xGaGe2O7发光材料及其熔体法晶体生长方法有效
| 申请号： | 201110003278.0 | 申请日： | 2011-01-08 |
| 公开（公告）号： | CN102071463A | 公开（公告）日： | 2011-05-25 |
| 发明（设计）人： | 张庆礼;殷绍唐;孙敦陆;宁凯杰;刘文鹏;罗建乔 | 申请（专利权）人： | 中国科学院安徽光学精密机械研究所 |
| 主分类号： | C30B29/22 | 分类号： | C30B29/22;C30B11/00;C09K11/80 |
| 代理公司： | 安徽合肥华信知识产权代理有限公司 34112 | 代理人： | 余成俊 |
| 地址： | 230031 *** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了RE掺杂(RE＝Pr、Sm、Eu、Tb、Dy、Er、Ho、Tm、Yb、Cr、Ti、Bi)的LnGaGe2O7(Ln＝La、Gd)发光材料，以及它们的熔体法晶体生长方法，其掺杂原子百分比浓度为0.01～50％。按比例配制好的原料经充分混合、压制成形、高温烧结后，成为晶体生长的起始原料；生长起始原料放入坩埚经加热充分熔化后，成为熔体法生长的初始熔体，然后可用熔体法如提拉法、坩埚下降法、温梯法及其它熔体法来进行生长；本发明的发光材料可用于显示、照明及激固体激光技术等领域。 | ||
| 搜索关键词： | 掺杂 稀土 锗镓酸盐 re sub ln gage 发光 材料 及其 熔体法 晶体生长 方法 | ||
【主权项】：
掺杂稀土锗镓酸盐RExLn1‑xGaGe2O7发光材料，其特征在于：化合物分子式可表示为RExLn1‑xGaGe2O7，RE代表稀土元素Pr、Sm、Eu、Tb、Dy、Er、Ho、Tm、Yb，以及非稀土元素Cr、Ti、Bi，Ln代表稀土元素La、Gd，x的取值范围为：0.0001≤x≤0.5。
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