[发明专利]一种采用金属吸收层的有机光电器件有效
| 申请号： | 201110000184.8 | 申请日： | 2011-01-04 |
| 公开（公告）号： | CN102142522A | 公开（公告）日： | 2011-08-03 |
| 发明（设计）人： | 侯晓远;武博;孙晓宇;李文彬;孙正义;丁训民 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | H01L51/42 | 分类号： | H01L51/42;H01L51/46 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人： | 陆飞;盛志范 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明属于有机光电器件技术领域，具体为一种采用金属吸收层的有机光电器件。本发明在原有的有机光电器件结构中，插入金属吸收层Al，该金属吸收层Al的厚度为3~10nm。本发明发现并证实金属材料的光吸收能够促进有机光电器件中载流子的产生，从而填补了传统有机光电器件领域的一个认识盲区，为有机光电器件的性能改善开辟了新的途径。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 采用 金属 吸收 有机 光电 器件 | ||
【主权项】：
一种有机光电器件，其特征在于，在原有的有机光电器件结构中，插入金属吸收层Al，该金属吸收层Al的厚度为3~10nm。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
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