[其他]使用集成MEMS及CMOS器件的片上系统有效
| 申请号： | 201090001412.2 | 申请日： | 2010-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN202717577U | 公开（公告）日： | 2013-02-06 |
| 发明（设计）人： | 杨晓 | 申请（专利权）人： | 穆克波有限公司 |
| 主分类号： | B81B3/00 | 分类号： | B81B3/00;H01L21/00 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 余刚;吴孟秋 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 使用集成MEMS及CMOS器件的片上系统，一种CMOS和MEMS器件设置在其中从而形成集成CMOS-MEMS系统的集成MEMS系统。该系统可包括硅衬底层、CMOS层、MEMS和CMOS器件以及晶圆级封装（WLP）层。CMOS层可形成界面区，在该界面区上可构造任意数量的CMOS MEMS器件。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 集成 mems cmos 器件 系统 | ||
【主权项】：
一种系统，包括：半导体衬底；至少一个CMOS器件，覆盖所述半导体衬底，所述CMOS器件被构造为提供逻辑阵列和存储器阵列；表面区，覆盖所述CMOS器件，所述表面区形成界面区；被构造为感测第一物理扰动的至少一第一微电子机械系统（MEMS），被构造在第一区中，所述第一区覆盖所述界面区的第一部分；以及被构造为感测不同于所述第一物理扰动的第二物理扰动的第二MEMS，被构造在第二区中，所述第二区覆盖所述界面区的第二部分。
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