[发明专利]面积有效仿神经电路有效
| 申请号： | 201080051985.0 | 申请日： | 2010-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN102667826A | 公开（公告）日： | 2012-09-12 |
| 发明（设计）人： | M·J·布赖特韦什;C·H·拉姆;D·S·莫德哈;B·拉金德兰 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | G06N3/063 | 分类号： | G06N3/063;G11C11/56;H01L27/28 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 于静;张亚非 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种仿神经电路包括：第一场效应晶体管，处于在所述第一场效应晶体管的第一栅极和第一漏极之间建立电连接的第一二极管配置。所述仿神经电路还包括：第二场效应晶体管，处于在所述第二场效应晶体管的第二栅极和第二漏极之间建立电连接的第二二极管配置。所述仿神经电路还包括：可变电阻材料，电连接到所述第一漏极和所述第二漏极二者，其中所述可变电阻材料提供可编程电阻值。所述仿神经电路附加地包括：第一结，电连接到所述可变电阻材料并提供到神经元电路的输出的第一连接点；以及第二结，电连接到所述可变电阻材料并提供到所述神经元电路的所述输出的第二连接点。 | ||
| 搜索关键词： | 面积 效仿 神经 电路 | ||
【主权项】：
一种仿神经电路，所述电路包括：第一场效应晶体管，处于在所述第一场效应晶体管的第一栅极和第一漏极之间建立电连接的第一二极管配置；第二场效应晶体管，处于在所述第二场效应晶体管的第二栅极和第二漏极之间建立电连接的第二二极管配置；可变电阻材料，电连接到所述第一漏极和所述第二漏极二者，所述可变电阻材料提供可编程电阻值；第一结，电连接到所述可变电阻材料并提供到神经元电路的输出的第一连接点；以及第二结，电连接到所述可变电阻材料并提供到所述神经元电路的所述输出的第二连接点。
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