[发明专利]用于SOI MOSFET中的面积高效型主体接触的分层浅沟槽隔离有效
| 申请号： | 201080045288.4 | 申请日： | 2010-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN102598273A | 公开（公告）日： | 2012-07-18 |
| 发明（设计）人： | 李影;S·纳拉辛哈;W·A·劳施 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/762;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 吴立明;边海梅 |
| 地址： | 美国纽*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明公开了一种体硅层上的SOI器件，其具有FET区、主体接触区和STI区。该FET区由SOI层和上覆栅极组成。该STI区包括第一STI层，该STI层将该SOI器件与相邻SOI器件分开。该主体接触区包括该SOI层的延伸部分、该延伸部分上的第二STI层以及与该延伸部分接触的主体接触。该第一STI层和该第二STI层邻接并且具有不同厚度以便形成分层STI。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 soi mosfet 中的 面积 高效 主体 接触 分层 沟槽 隔离 | ||
【主权项】：
一种SOI器件，包括：FET区(22)，其包括SOI层(34)；STI区，其具有将所述SOI器件与相邻的SOI器件分开的第一STI层(STI‑1)，所述第一STI层具有第一厚度；主体接触区(24)，其在所述FET区与所述STI区之间，所述主体接触区具有所述SOI层的延伸部分(35)以及具有第二厚度的上覆第二STI层(STI‑2)；以及主体接触(67)，其与所述SOI延伸部分接触；其中所述第一厚度不同于所述第二厚度。
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