[发明专利]贴合晶片的制造方法无效
申请号: | 201080019226.6 | 申请日: | 2010-04-30 |
公开(公告)号: | CN102414785A | 公开(公告)日: | 2012-04-11 |
发明(设计)人: | 川合信;飞坂优二;秋山昌次 | 申请(专利权)人: | 信越化学工业株式会社 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L21/265;H01L27/12 |
代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人: | 武玉琴;陈桂香 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种贴合晶片的制造方法,在操作基板的热膨胀系数比施主基板大的情况下,也可以进行剥离,而不会在基板上产生裂纹。所述制造方法至少包括下述步骤:从施主基板(3)的表面向所述施主基板(3)注入离子,形成离子注入界面(5);在所述施主基板(3)的已经注入了离子的表面上,贴合热膨胀系数比所述施主基板(3)大的操作基板(7),制成贴合基板;对所述贴合基板进行热处理,制成接合体(1);和当所述接合体(1)由冷却装置(20)冷却到室温以下的温度后,在所述离子注入界面上剥离所述接合体(1)的所述施主基板(3),将施主膜转印到所述操作基板(7)上。 | ||
搜索关键词: | 贴合 晶片 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种贴合晶片的制造方法,其包括下述步骤:从施主基板的表面向所述施主基板注入离子,形成离子注入界面;在所述施主基板的进行了离子注入的所述表面上,贴合热膨胀系数比所述施主基板大的操作基板,制成贴合基板;对所述贴合基板进行热处理,制成接合体;和当所述接合体冷却到室温以下的温度后,在所述离子注入界面上剥离所述接合体的所述施主基板,将施主膜转印到所述操作基板上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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