[发明专利]贴合晶片的制造方法无效

专利信息
申请号: 201080019226.6 申请日: 2010-04-30
公开(公告)号: CN102414785A 公开(公告)日: 2012-04-11
发明(设计)人: 川合信;飞坂优二;秋山昌次 申请(专利权)人: 信越化学工业株式会社
主分类号: H01L21/02 分类号: H01L21/02;H01L21/265;H01L27/12
代理公司: 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 代理人: 武玉琴;陈桂香
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供一种贴合晶片的制造方法,在操作基板的热膨胀系数比施主基板大的情况下,也可以进行剥离,而不会在基板上产生裂纹。所述制造方法至少包括下述步骤:从施主基板(3)的表面向所述施主基板(3)注入离子,形成离子注入界面(5);在所述施主基板(3)的已经注入了离子的表面上,贴合热膨胀系数比所述施主基板(3)大的操作基板(7),制成贴合基板;对所述贴合基板进行热处理,制成接合体(1);和当所述接合体(1)由冷却装置(20)冷却到室温以下的温度后,在所述离子注入界面上剥离所述接合体(1)的所述施主基板(3),将施主膜转印到所述操作基板(7)上。
搜索关键词: 贴合 晶片 制造 方法
【主权项】:
一种贴合晶片的制造方法,其包括下述步骤:从施主基板的表面向所述施主基板注入离子,形成离子注入界面;在所述施主基板的进行了离子注入的所述表面上,贴合热膨胀系数比所述施主基板大的操作基板,制成贴合基板;对所述贴合基板进行热处理,制成接合体;和当所述接合体冷却到室温以下的温度后,在所述离子注入界面上剥离所述接合体的所述施主基板,将施主膜转印到所述操作基板上。
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