[发明专利]用于片内终结的终结电路无效
| 申请号： | 201080016363.4 | 申请日： | 2010-01-11 |
| 公开（公告）号： | CN102396156A | 公开（公告）日： | 2012-03-28 |
| 发明（设计）人： | P·B·吉灵厄姆 | 申请（专利权）人： | 莫塞德技术公司 |
| 主分类号： | H03H11/46 | 分类号： | H03H11/46;G11C5/06;H01L23/50 |
| 代理公司： | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280 | 代理人： | 王勇 |
| 地址： | 加拿大*** | 国省代码： | 加拿大;CA |
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| 摘要： | 在具有连接到内部区的端子的半导体装置中，用于为该装置的端子提供片内终结的终结电路。该终结电路包括连接在端子和电源之间的多个晶体管，所述多个晶体管包括至少一个NMOS晶体管和至少一个PMOS晶体管；和控制电路，该控制电路用于以相应的NMOS栅极电压驱动每个NMOS晶体管的栅极以及用于以相应的PMOS栅极电压驱动每个PMOS晶体管的栅极，该控制电路被配置为控制NMOS栅极电压和PMOS栅极电压以便在启用片内终结时将所述晶体管置于欧姆操作区。所述电源供应电压，该电压小于每一个所述的NMOS栅极电压而大于每个所述的PMOS栅极电压。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 终结 电路 | ||
【主权项】：
在具有连接到内部区的端子的半导体装置中，一种用于为所述半导体装置的端子提供片内终结的终结电路，所述终结电路包括：‑连接在所述端子和电源之间的多个晶体管，所述多个晶体管包括至少一个NMOS晶体管和至少一个PMOS晶体管；‑控制电路，其用于以相应的NMOS栅极电压驱动所述至少一个NMOS晶体管的每一个晶体管的栅极以及用于以相应的PMOS栅极电压驱动所述至少一个PMOS晶体管的每一个晶体管的栅极，所述控制电路被配置为控制NMOS栅极电压和PMOS栅极电压以便在启用片内终结时将所述多个晶体管置于欧姆操作区；‑其中所述电源供应电压，所述电压小于每一个所述的NMOS栅极电压而大于每个所述的PMOS栅极电压。
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