[发明专利]薄膜形成装置及薄膜形成方法无效
| 申请号： | 201080014488.3 | 申请日： | 2010-04-14 |
| 公开（公告）号： | CN102378826A | 公开（公告）日： | 2012-03-14 |
| 发明（设计）人： | 篠川泰治;涩谷聪;本田和义;岛田隆司;神山游马;山本昌裕 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/56 | 分类号： | C23C14/56;C23C14/50;C23C16/54 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 段承恩;杨光军 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 在使用气体冷却的成膜方法中，一边实现充分的冷却效果一边避免因气体导入导致成膜率下降和/或对真空泵施加过大的载荷。本发明的薄膜形成装置，具备：在薄膜形成区域(9)具有与基板(7)的背面接近的冷却面(10s)的冷却体(10)；以及向冷却面(10s)和基板(7)的背面之间导入气体的气体导入单元，冷却面在基板的宽度方向剖面中具有中央部比两端部向基板7的背面突出的形状。优选的是，冷却面具有在基板的宽度方向剖面中左右对称的形状，更优选地，具有由悬垂曲线表示的形状。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 形成 装置 方法 | ||
【主权项】：
一种薄膜形成装置，其在真空中在具有表面和背面的带状基板的所述表面上形成薄膜，其中：具备：输送机构，其输送所述基板；薄膜形成单元，其在输送的所述基板的所述表面上在薄膜形成区域内形成薄膜；冷却体，其在所述薄膜形成区域具有与所述背面接近的冷却面，并由冷媒冷却；气体导入单元，其向所述冷却面和所述背面之间导入冷却气体以冷却所述基板；和真空容器，其收置所述输送机构、所述薄膜形成单元、所述冷却体和所述气体导入单元；所述冷却面具有下述形状：在所述基板的宽度方向剖面中，与两端部相比中央部向所述背面突出。
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