[实用新型]三五族太阳能电池结构无效
| 申请号： | 201020630891.6 | 申请日： | 2010-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN201936891U | 公开（公告）日： | 2011-08-17 |
| 发明（设计）人： | 张一熙;刘吉人 | 申请（专利权）人： | 吉富新能源科技(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/04 | 分类号： | H01L31/04;H01L31/0328 |
| 代理公司： | 北京鼎佳达知识产权代理事务所(普通合伙) 11348 | 代理人： | 王伟锋 |
| 地址： | 201707 上海市青*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型提供了一种三五族太阳能电池结构，是在基板上形成三层非晶硅层，其包含第一型非晶硅层、本质型非晶硅层与第二型非晶硅层，再利用非晶硅层本身晶格的特性，使三五族的多晶半导体层可形成于非晶硅层上，同时，藉由三五族的材质本身具有直接能隙，故可藉由非晶硅与三五族材质同时进行光能转换，而有效提升三五族太阳能电池的光电转换效率。 | ||
| 搜索关键词： | 三五 太阳能电池 结构 | ||
【主权项】：
一种三五族太阳能电池结构，其特征在于，包含有：一基板；一第一型非晶硅层，设置于该基板上；一本质型非晶硅层，设置于该第一型非晶硅层上；一第二型非晶硅层，设置于该本质型非晶硅层上；及一三五族的多晶半导体层，设置于该第二型非晶硅层上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于吉富新能源科技(上海)有限公司，未经吉富新能源科技(上海)有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201020630891.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种高清单芯片网络相机
- 下一篇：一种三相共箱式电压互感器
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
