[实用新型]横向结构LED芯片有效
| 申请号： | 201020266768.0 | 申请日： | 2010-07-19 |
| 公开（公告）号： | CN201773863U | 公开（公告）日： | 2011-03-23 |
| 发明（设计）人： | 彭晖;马欣荣;闫春辉 | 申请（专利权）人： | 亚威朗光电(中国)有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/38 | 分类号： | H01L33/38 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 刘芳 |
| 地址： | 314305 *** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本实用新型提出了一种横向结构LED芯片，包括：依次形成在生长衬底上的N-类型限制层、活化层和P-类型限制层、透明电极和钝化层，以及连接电极，连接电极包括N-打线焊盘、P-打线焊盘和条形电极。形成有至少一个半导体外延层平台，其底面露出N-类型限制层；钝化层覆盖透明电极以及半导体外延层平台的侧面和底面；至少两个半通槽，分别开设在半导体外延层平台底面和透明电极上覆盖的钝化层，至少一个半通槽的形状为条形；N-打线焊盘穿过半通槽与N-类型限制层连通，P-打线焊盘穿过半通槽与透明电极连通，条形电极形成在条形的半通槽中并与相应的打线焊盘相连。通过设置条形电极来扩展输入电流的流入面积，从而避免电流拥塞。 | ||
| 搜索关键词： | 横向 结构 led 芯片 | ||
【主权项】：
一种横向结构LED芯片，包括：依次形成在生长衬底上的半导体外延层、透明电极和钝化层，以及连接电极，其中所述半导体外延层包括依次形成在所述生长衬底上的N 类型限制层、活化层和P 类型限制层，其特征在于：所述半导体外延层上形成有至少一个半导体外延层平台，所述半导体外延层平台的底面露出所述N 类型限制层；所述钝化层覆盖所述透明电极以及所述半导体外延层平台的侧面和底面；所述横向结构LED芯片还包括至少两个半通槽，分别开设在所述半导体外延层平台底面和所述透明电极上覆盖的钝化层中以分别露出所述N 类型限制层和所述透明电极，至少一个所述半通槽的形状为条形；所述连接电极包括N 打线焊盘、P 打线焊盘和条形电极，所述条形电极形成在条形的半通槽中并与相应的打线焊盘相连，所述N 打线焊盘穿过所述N 类型限制层上的半通槽与所述N 类型限制层连通，所述P 打线焊盘穿过所述透明电极上的半通槽与所述透明电极连通。
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