[实用新型]一种磁敏VDMOS器件有效
| 申请号： | 201020246052.4 | 申请日： | 2010-07-01 |
| 公开（公告）号： | CN201732789U | 公开（公告）日： | 2011-02-02 |
| 发明（设计）人： | 王开 | 申请（专利权）人： | 王开 |
| 主分类号： | H01L27/22 | 分类号： | H01L27/22 |
| 代理公司： | 杭州裕阳专利事务所(普通合伙) 33221 | 代理人： | 应圣义 |
| 地址： | 214062 江苏省无锡市滨*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种磁敏VDMOS器件，包括VDMOS芯片和磁敏电阻，所述VDMOS芯片上设有绝缘介质，所述绝缘介质上设有磁敏电阻。本实用新型既可用外加磁场来控制VDMOS的通断，也可以利用VDMOS导通时产生的磁场来控制VDMOS的导通功率(电流)，去除了外界干扰信号的影响及可高速驱动，不产生任何额外的电能消耗，节约了能源。当温度变化时，此磁敏电阻的阻值也发生变化，因而也可以作为功率VDMOS的温度采样。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 vdmos 器件 | ||
【主权项】：
一种磁敏VDMOS器件，包括VDMOS芯片和磁敏电阻，其特征在于，所述VDMOS芯片上设有绝缘介质，所述绝缘介质上设有磁敏电阻。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
