[实用新型]一种大功率发光二极管电极无效
| 申请号： | 201020194100.X | 申请日： | 2010-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN201804902U | 公开（公告）日： | 2011-04-20 |
| 发明（设计）人： | 艾常涛;易贤;何建波;杨新民;靳彩霞;董志江 | 申请（专利权）人： | 武汉迪源光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/36 | 分类号： | H01L33/36;H01L33/38 |
| 代理公司： | 北京轻创知识产权代理有限公司 11212 | 代理人： | 沈尚林 |
| 地址： | 430205 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及半导体照明领域的一种大功率发光二极管电极。该电极结构中的两电极在发光二极管外延表面均呈均匀分布并且相互平行，同时两电极在外延片表面呈弯曲曲线形式，从而保证了电极间的电流密度分布均匀，并避免了传统电极结构中电极呈直线状分布时在直线与直线的拐点处与直线处电流密度分布不均的现象，进而增强了整个发光二极管中各处电流密度的均匀性，保证了发光二极管出光的均匀。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 大功率 发光二极管 电极 | ||
【主权项】：
一种大功率发光二极管电极，包括沉积在发光二极管外延片上的透明导电薄膜、在发光二极管外延片表面刻蚀出的沟槽、沉积在沟槽中的第一电极以及沉积在透明导电薄膜上的第二电极，其特征在于：所述沟槽和沉积于沟槽中的第一电极在发光二极管外延片表面均匀分布，所述第二电极与沟槽以及沉积于沟槽中的第一电极相互平行并呈均匀分布。
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