[发明专利]一种高密度、高鲁棒性的亚阈值存储电路接口电路无效
| 申请号： | 201010622696.3 | 申请日： | 2010-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN102034525A | 公开（公告）日： | 2011-04-27 |
| 发明（设计）人： | 柏娜;龚展立;仇名强;李瑞兴;吴维奇 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | G11C11/40 | 分类号： | G11C11/40 |
| 代理公司： | 南京天翼专利代理有限责任公司 32112 | 代理人： | 汤志武 |
| 地址： | 210096*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种高密度、高鲁棒性的亚阈值存储电路接口电路，用于从超阈值区域到亚阈值区域的连接，由晶体管构成施密特反相器：PMOS管P1和两个NMOS管N1、N2的栅端与输入端Vin连接；PMOS管P1的源端接电源电压Vdd，漏端与NMOS管N1的漏端、NMOS管N3的栅端连接，并连接到输出端Vout；PMOS管P1的体端接电源电压Vdd；NMOS管N1、N2、N3的体端各自均连接地端GND；NMOS管N1的源端、NMOS管N2的漏端以及NMOS管N3的源端连接；NMOS管N2的源端接地；NMOS管N3的漏端接电源电压Vdd。本发明实现噪声容限最大，具备良好的抗干扰能力和工艺容忍度，占用的芯片面积小。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高密度 高鲁棒性 阈值 存储 电路 接口 | ||
【主权项】：
一种高密度、高鲁棒性的亚阈值存储电路接口电路，用于从超阈值区域到亚阈值区域的连接，其特征是包括一个PMOS管P1，三个NMOS管N1、N2、N3，所述四个晶体管构成施密特反相器，具体为：PMOS管P1和两个NMOS管N1、N2的栅端与输入端Vin连接；PMOS管P1的源端接电源电压Vdd，漏端与NMOS管N1的漏端、NMOS管N3的栅端连接在一起，并连接到输出端Vout；PMOS管P1的体端接电源电压Vdd；NMOS管N1、N2、N3的体端各自均连接地端GND；NMOS管N1的源端、NMOS管N2的漏端以及NMOS管N3的源端连接在一起；NMOS管N2的源端接地；NMOS管N3的漏端接电源电压Vdd。
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