[发明专利]拓扑学原理设计的硅太阳能电池正电极有效
| 申请号： | 201010620111.4 | 申请日： | 2010-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN102130193A | 公开（公告）日： | 2011-07-20 |
| 发明（设计）人： | 陈苏平 | 申请（专利权）人： | 常州天合光能有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/042 | 分类号： | H01L31/042;H01L31/0224 |
| 代理公司： | 常州市维益专利事务所 32211 | 代理人： | 王凌霄 |
| 地址： | 213031 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及硅太阳能电池正电极设计领域，特别是一种拓扑学原理设计的硅太阳能电池正电极它，包括细栅线和主栅线，电池片正面的多根细栅线为同心圆和同心圆弧形，相邻细栅线之间的距离为2～3mm。本发明所设计的硅太阳能电池栅线传导结构，运用拓扑学规律，改变其分布状况，增加电池片表面的电子的传输速度，增加电子的有效传导。 | ||
| 搜索关键词： | 拓扑学 原理 设计 太阳能电池 电极 | ||
【主权项】：
一种拓扑学原理设计的硅太阳能电池正电极，包括细栅线(1)和主栅线(2)，其特征是：所述的电池片正面的多根细栅线(1)为同心圆和同心圆弧形，相邻细栅线(2)之间的距离为2～3mm。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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