[发明专利]双压印方法有效
| 申请号： | 201010612440.4 | 申请日： | 2010-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN102566258A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 张海洋;王新鹏 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/00 | 分类号： | G03F7/00;H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 牛峥;王丽琴 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种双压印方法，该方法包括：在待刻蚀薄膜上形成金属硬掩膜层；采用第一模具对金属硬掩膜层进行压印，压印后的金属硬掩膜层为第一压印图案；在第一压印图案和暴露出来的待刻蚀薄膜之上旋涂深紫外氧化物，并进行硬性烘烤处理；采用第二模具对深紫外氧化物进行压印，压印后的深紫外氧化物为第二压印图案；以第二压印图案作为掩膜，对位于其下的第一压印图案刻蚀，然后将第二压印图案去除，刻蚀后的第一压印图案为第三图案；以第三图案作为掩膜，对待刻蚀薄膜刻蚀。采用本发明公开的方法能够降低在晶片上形成图案的成本。 | ||
| 搜索关键词： | 压印 方法 | ||
【主权项】：
一种双压印方法，该方法包括：在待刻蚀薄膜上形成金属硬掩膜层；采用第一模具对金属硬掩膜层进行压印，压印后的金属硬掩膜层为第一压印图案；在第一压印图案和暴露出来的待刻蚀薄膜之上旋涂深紫外氧化物，并进行硬性烘烤处理；采用第二模具对深紫外氧化物进行压印，压印后的深紫外氧化物为第二压印图案；以第二压印图案作为掩膜，对位于其下的第一压印图案刻蚀，然后将第二压印图案去除，刻蚀后的第一压印图案为第三图案；以第三图案作为掩膜，对待刻蚀薄膜刻蚀。
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