[发明专利]一种光刻胶剥离液

摘要

本发明涉及一种光刻胶剥离液，特指一种适合于半导体基材上的残留光刻胶剥离液。该光刻胶剥离液的构成原料及重量配比为：水合肼或有机胺化合物1～15份；溶剂10～45份；抗蚀剂0.1～5份；纯水余份。本发明的优点在于：1、本发明适用于集成电路，超大集成电路中，蚀刻后的光刻胶剥离。2、本发明能够容易的清除蚀刻后的光刻胶膜，能对金属布线腐蚀降低到最小化，并且对环境友好。3、本发明对晶圆上的光刻胶及其残留物，能快速的清洗并无残留，而且对基底材料以及金属配线腐蚀率低。

主权项

一种光刻胶剥离液，其特征在于：该光刻胶剥离液的构成原料及重量配比为：水合肼或有机胺化合物         1～15份；溶剂                                 10～45份；抗蚀剂                              0.1～5份；纯水                                 余份。