[发明专利]碲化镉薄膜光伏器件中的渐变合金碲化物层及其制造方法无效
申请号: | 201010604140.1 | 申请日: | 2010-12-15 |
公开(公告)号: | CN102142475A | 公开(公告)日: | 2011-08-03 |
发明(设计)人: | S·D·费尔德曼-皮博迪 | 申请(专利权)人: | 初星太阳能公司 |
主分类号: | H01L31/048 | 分类号: | H01L31/048;H01L31/18;C23C14/06;C23C16/30 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 朱海煜;王忠忠 |
地址: | 美国科*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 碲化镉薄膜光伏器件(10)大体上公开包括渐变合金碲化物层(22)。该器件可以包括硫化镉层(18)、在该硫化镉层(18)上的渐变合金碲化物层(22)和在该渐变合金碲化物层(22)上的背接触(24)。该渐变合金碲化物层(22)一般具有在从该硫化镉层(18)朝该背接触层(24)的方向上延伸的递增合金浓度和递减镉浓度。该器件(10)还可包括在该硫化镉层(18)和该渐变合金碲化物层(22)之间的碲化镉层(20)。还大体上公开用于制造基于碲化镉的薄膜光伏器件的方法,该光伏器件具有渐变碲化镉结构。 | ||
搜索关键词: | 碲化镉 薄膜 器件 中的 渐变 合金 碲化物层 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种碲化镉薄膜光伏器件,其包括:硫化镉层(18);在所述硫化镉层(18)上的渐变合金碲化物层(22);以及在所述渐变合金碲化物层(22)上的背接触(20),其中所述渐变合金碲化物层(22)具有在从所述硫化镉层(18)向所述背接触层(20)的方向上延伸的递增合金浓度和递减镉浓度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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