[发明专利]碲化镉薄膜光伏器件中的渐变合金碲化物层及其制造方法无效

专利信息
申请号: 201010604140.1 申请日: 2010-12-15
公开(公告)号: CN102142475A 公开(公告)日: 2011-08-03
发明(设计)人: S·D·费尔德曼-皮博迪 申请(专利权)人: 初星太阳能公司
主分类号: H01L31/048 分类号: H01L31/048;H01L31/18;C23C14/06;C23C16/30
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 朱海煜;王忠忠
地址: 美国科*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 碲化镉薄膜光伏器件(10)大体上公开包括渐变合金碲化物层(22)。该器件可以包括硫化镉层(18)、在该硫化镉层(18)上的渐变合金碲化物层(22)和在该渐变合金碲化物层(22)上的背接触(24)。该渐变合金碲化物层(22)一般具有在从该硫化镉层(18)朝该背接触层(24)的方向上延伸的递增合金浓度和递减镉浓度。该器件(10)还可包括在该硫化镉层(18)和该渐变合金碲化物层(22)之间的碲化镉层(20)。还大体上公开用于制造基于碲化镉的薄膜光伏器件的方法,该光伏器件具有渐变碲化镉结构。
搜索关键词: 碲化镉 薄膜 器件 中的 渐变 合金 碲化物层 及其 制造 方法
【主权项】:
一种碲化镉薄膜光伏器件,其包括:硫化镉层(18);在所述硫化镉层(18)上的渐变合金碲化物层(22);以及在所述渐变合金碲化物层(22)上的背接触(20),其中所述渐变合金碲化物层(22)具有在从所述硫化镉层(18)向所述背接触层(20)的方向上延伸的递增合金浓度和递减镉浓度。
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