[发明专利]用于制造NMOS半导体器件的方法有效
| 申请号： | 201010600601.8 | 申请日： | 2010-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN102569080A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 吴兵;宋化龙 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/265;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;顾珊 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于制造NMOS半导体器件的方法，所述方法包括下列步骤：提供半导体前端器件，包括衬底和位于所述衬底上的栅极；对所述半导体前端器件的衬底进行N型离子注入，用以形成NMOS器件的源漏区；对所述NMOS器件的源漏区进行硅或碳的离子注入，其中所述硅或碳的离子注入是以相对于垂直于衬底表面的方向的倾斜角度进行的；对所述半导体前端器件进行应力记忆技术处理；以及对所述半导体前端器件进行退火，用以在所述NMOS器件的源漏区表面形成自对准硅化物。根据本发明的制造NMOS半导体器件的方法，能够有效地在形成自对准多晶硅化物期间降低镍侵蚀，并防止结的漏电和源漏击穿电压的性能变差，以便提高半导体器件生产的良品率。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制造 nmos 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
一种用于制造NMOS半导体器件的方法，所述方法包括下列步骤：提供半导体前端器件，包括衬底和位于所述衬底上的栅极； 对所述半导体前端器件的衬底进行N型离子注入，用以形成NMOS器件的源漏区；对所述NMOS器件的源漏区进行硅或碳的离子注入，其中所述硅或碳的离子注入是以相对于垂直于衬底表面的方向的倾斜角度进行的；对所述半导体前端器件进行应力记忆技术处理；以及对所述半导体前端器件进行退火，用以在所述NMOS器件的源漏区表面形成自对准硅化物。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
