[发明专利]场发射像素管有效
| 申请号： | 201010563927.8 | 申请日： | 2010-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN102024654A | 公开（公告）日： | 2011-04-20 |
| 发明（设计）人： | 魏洋;范守善 | 申请（专利权）人： | 清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 |
| 主分类号： | H01J31/12 | 分类号： | H01J31/12;H01J29/04 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100084 北京市海淀区清*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种场发射像素管，其包括：一壳体，所述壳体具有一出光部；一荧光粉层及一阳极，所述阳极及荧光粉层设置于所述壳体出光部；一阴极，所述阴极与所述阳极间隔设置，该阴极包括一阴极支撑体与至少一电子发射体，其中，所述至少一电子发射体包括一碳纳米管管状结构，所述碳纳米管管状结构的一端与所述阴极支撑体电连接，所述碳纳米管管状结构的另一端向所述阳极延伸作为电子发射体的电子发射端，所述碳纳米管管状结构为多个碳纳米管围绕一中空的线状轴心组成，所述碳纳米管管状结构在电子发射端延伸出多个电子发射尖端。 | ||
| 搜索关键词： | 发射 像素 | ||
【主权项】：
一种场发射像素管，其包括：一壳体，所述壳体具有一出光部；一荧光粉层及一阳极，所述阳极及荧光粉层设置于所述壳体出光部；一阴极，所述阴极与所述阳极间隔设置，该阴极包括一阴极支撑体与至少一电子发射体；其特征在于，所述至少一电子发射体包括一碳纳米管管状结构，所述碳纳米管管状结构的一端与所述阴极支撑体电连接，所述碳纳米管管状结构的另一端向所述阳极延伸作为电子发射体的电子发射端，所述碳纳米管管状结构为多个碳纳米管围绕一中空的线状轴心组成，所述碳纳米管管状结构在电子发射端延伸出多个电子发射尖端。
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