[发明专利]一种单座苣苔的组织培养繁殖方法无效
申请号: | 201010552351.5 | 申请日: | 2010-11-19 |
公开(公告)号: | CN101965800A | 公开(公告)日: | 2011-02-09 |
发明(设计)人: | 马国华;张新华;赵杰堂;杨兴玉;吕金凤;胡玉姬 | 申请(专利权)人: | 中国科学院华南植物园 |
主分类号: | A01H4/00 | 分类号: | A01H4/00 |
代理公司: | 广州科粤专利商标代理有限公司 44001 | 代理人: | 余炳和 |
地址: | 510650 广东省广州*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明公开了一种单座苣苔的组织培养繁殖方法。它利用植物细胞的全能性和植物组织培养技术,将单座苣苔的叶片作为外植体,经消毒后,在合适的培养基和培养条件下培养,使其能够脱分化并分化形成不定芽,再经继代增殖、生根培养获得试管苗,试管苗经移栽壮苗炼苗后获得栽培苗。本发明从外植体的诱导到获得栽培苗只需要140天就可以获得栽培苗,大大加快单座苣苔的繁殖速度,通过继代增殖,每个月可以增殖4.6倍左右,因此可以在短时期内获得大量的试管苗,试管苗经移栽后,其成活率高达90%以上,从而能够使单座苣苔这一国家一级濒危植物得以保存和发展,为今后更进一步利用该物种奠定良好的基础。 | ||
搜索关键词: | 一种 单座苣苔 组织培养 繁殖 方法 | ||
【主权项】:
一种单座苣苔(Metabriggsia ovalifolia W.T.Wang)的组织培养繁殖方法,其特征在于,包括以下步骤:(1)不定芽的诱导:选择单座苣苔的叶片作为外植体,将叶片灭菌消毒后切块,接种于诱导培养基上培养,培养条件为22~28℃,黑暗培养或光强为20μmol m‑2 s‑1以下、光照14小时/天的条件下培养,直至诱导出不定芽,然后转到光强为50~80μmol m‑2s‑1、光照14小时/天的条件下继续培养10~20天;(2)继代增殖:将上一步骤获得的不定芽转入繁殖培养基中进行不定芽的增殖,培养条件为22~28℃,光强为50‑80μmol m‑2 s‑1,光照14小时/天;(3)生根培养:将增殖的不定芽转入生根培养基中培养,培养条件为22~28℃,光强为50‑80μmol m‑2 s‑1,光照14小时/天,使其生根,长成试管苗;(4)试管苗的移栽:将试管苗移植到蛭石和沙石按体积比为1∶1或火灰和细沙按体积比为1∶1的基质中,置于湿润、遮荫的环境下培养,浇水,施肥以满足试管苗生长所需的水分和营养需要,经常规培养后获得栽培苗;所述的诱导培养基为每升培养基中含有N‑苯基‑N′‑1,2,3‑噻二唑‑5‑脲0.2~2.0mg或6‑苄氨基嘌呤0.2~2.0mg,其余成份为MS;所述的繁殖培养基为每升培养基中含有6‑苄氨基嘌呤0.2~2.0mg、α‑萘乙酸0.1~0.5mg,其余成份为MS;所述的生根培养基为每升培养基中含有活性炭1g和吲哚‑3‑丁酸0.05~0.2mg或α‑萘乙酸0.05~0.2mg,其余成份为1/2MS。
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